发明名称 | 压力传感器 | ||
摘要 | 本发明涉及压力传感器及压力传感器的制造方法,能够防止因漏电流引起的特性异常。该压力传感器(100)具备:形成有扩散电阻布线(6)的第2半导体层(3)、形成在第2半导体层(3)上的绝缘层(7)、形成在绝缘层(7)上的外部导电部(8)。在绝缘膜(7)中,形成有将外部导电部(8)与扩散电阻布线(6)电连接的接点(9),外部导电部(8)形成在与第2半导体层(3)上形成的扩散电阻布线(6)的范围相当的范围内。 | ||
申请公布号 | CN101943623B | 申请公布日期 | 2012.10.10 |
申请号 | CN201010220783.6 | 申请日期 | 2010.07.02 |
申请人 | 阿自倍尔株式会社 | 发明人 | 东条博史;米田雅之 |
分类号 | G01L9/04(2006.01)I | 主分类号 | G01L9/04(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李伟;王轶 |
主权项 | 一种压力传感器,具备:形成有内部电阻部的半导体基板、形成在所述半导体基板上的绝缘膜、和形成在所述绝缘膜上的外部导电部,其特征在于,在所述绝缘膜中,形成有将所述外部导电部与所述内部电阻部电连接的接点,所述外部导电部形成在与所述半导体基板上形成的所述内部电阻部的范围相当的范围内,所述半导体基板是n型半导体基板,所述内部电阻部由p型半导体构成,以大于等于所述外部导电部的电位,对所述半导体基板的未形成所述内部电阻部的部分施加电压,且施加电压后,所述半导体基板的所述内部电阻部、与所述半导体基板的未形成所述内部电阻部的部分的电位差要小于压力传感器的击穿电压。 | ||
地址 | 日本东京都 |