一种具有悬空源漏的半导体结构及其形成方法

摘要

本发明提出一种具有悬空源漏的半导体结构，包括：衬底；形成在衬底之上的多个凸起结构；形成在所述每两个凸起结构之间，且与两个凸起结构顶部相连的悬空薄层，其中，凸起结构为沟道，凸起结构两侧的悬空薄层为源极和漏极，且在所述凸起结构之间填充有绝缘材料以使作为沟道的所述凸起结构产生应变；和形成在所述凸起结构之上的栅堆叠。本发明实施例采用悬空的源漏结构，一方面使得源漏中掺杂杂质向衬底的扩散被抑制，从而易制备超浅结，另一方面由于源漏及衬底之间不存在接触，因此还可以抑制源漏与衬底之间的BTBT漏电。此外，本发明实施例通过在凸起结构之间填充的绝缘材料以使做为沟道的凸起结构产生应变，从而进一步提高器件性能。

主权项

一种具有悬空源漏的半导体结构，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的多个凸起结构，其中，每两个凸起结构之间具有一定间隙，所述间隙小于50nm；形成在所述每两个凸起结构之间，且与所述两个凸起结构顶部相连的悬空薄层，所述悬空薄层的一部分相对于所述衬底悬空，所述悬空薄层的厚度小于10nm，其中，所述凸起结构为沟道，所述凸起结构两侧的悬空薄层为源极和漏极，且在所述凸起结构之间填充有绝缘材料以使作为沟道的所述凸起结构产生应变，其中，所述悬空薄层通过以下方式形成：在填充了所述绝缘材料之后，将在所述凸起结构表面的绝缘材料去除，以及将所述凸起结构顶部侧面的一些所述绝缘材料去除，之后，对多个所述凸起结构退火，退火温度为800‑1350℃，且在退火时气氛中含有氢气；和形成在所述凸起结构之上的栅堆叠。