| 发明名称 | 成膜方法、成膜装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及成膜含有氧化锆膜的电介质膜的方法，该方法具有：供给由在结构中含有环戊二烯基环的锆化合物构成的锆原料和氧化剂，在被处理基板上成膜氧化锆膜的工序；供给由在结构中含有环戊二烯基环的钛化合物构成的钛原料和氧化剂，在上述氧化锆膜上成膜氧化钛膜的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN102703877A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201210082649.3 | 申请日期 | 2012.03.26 |
| 申请人 | 尔必达存储器株式会社;东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 两角友一朗;菅原卓也;秋山浩二;菱屋晋吾;广田俊幸;清村贵利 |
| 分类号 | C23C16/40(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种成膜方法，其特征在于，其是成膜包含氧化锆膜的电介质膜的方法，该成膜方法具有：供给由在结构中含有环戊二烯基环的锆化合物构成的锆原料和氧化剂，在被处理基板上形成氧化锆膜的成膜工序；供给由在结构中含有环戊二烯基环的钛化合物构成的钛原料和氧化剂，在所述氧化锆膜上形成氧化钛膜的成膜工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||