| 发明名称 | 硅熔体的脱碳方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种对硅熔体脱碳的新方法，及其用于制备硅，优选太阳能硅或者半导体硅的用途。 | ||
| 申请公布号 | CN102712483A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201080061933.1 | 申请日期 | 2010.12.27 |
| 申请人 | 赢创德固赛有限公司 | 发明人 | J·欣特迈尔 |
| 分类号 | C01B33/037(2006.01)I;C01B33/025(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/037(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 于辉 |
| 主权项 | 硅熔体的脱碳方法，其特征在于，将一氧化硅添加到硅熔体中，以降低所述熔体的碳含量。 | ||
| 地址 | 德国埃森 | ||