| 发明名称 | OTP器件的单元结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种OTP器件的单元结构，与现有OTP器件的单元结构相比，在多晶硅浮栅(14a)和氮氧化硅(18)之间增加了一层二氧化硅(20)。在后续高温工艺中，硼磷硅玻璃或磷硅玻璃层(19)中的磷离子或硼离子进入到氮氧化硅层(18)后，多晶硅浮栅(14a)中的电子被二氧化硅层(20)阻挡而不会被含有磷离子或硼离子的氮氧化硅层(18)所吸收，从而提高了利用浮栅保存数据的OTP器件的数据保持能力。本发明还公开了所述OTP器件的单元结构的制造方法，与现有的CMOS逻辑工艺完全兼容，无需增加额外的掩膜工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN102054843B | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN200910201782.4 | 申请日期 | 2009.11.09 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 胡晓明;黄景丰 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 刘昌荣 |
| 主权项 | 一种OTP器件的单元结构，其特征是，衬底(10)之上为n阱(12)；衬底(10)和/或n阱(12)中有隔离区(11)；n阱(12)之上有两个栅氧化层(13)，两个栅氧化层(13)之上分别是多晶硅浮栅(14a)和多晶硅选择栅(14b)；两个栅极(14a)、(14b)两侧下方的n阱(12)中有p型轻掺杂区(15)；两个栅极(14a)、(14b)及其下方的两个栅氧化层(13)的两侧有侧墙(16)；最外侧的侧墙(16)之外的下方n阱(12)中有p型重掺杂区(17)；多晶硅浮栅(14a)之上有一层二氧化硅(20)；二氧化硅(20)之上分别是氮氧化硅(18)和硼磷硅玻璃或磷硅玻璃(19)。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||