形成沟槽及双镶嵌结构的方法

摘要

本发明提出一种形成沟槽及双镶嵌结构的方法。其中形成沟槽的方法，包括下列步骤：提供依次形成有氮碳化硅层、碳氧化硅层、正硅酸乙酯层、抗反射层低温氧化层及图案化光刻胶层的半导体衬底，所述半导体衬底分为器件密集区和器件非密集区；以图案化光刻胶层为掩膜，采用第一刻蚀条件依次刻蚀低温氧化硅层、抗反射层、正硅酸乙酯层和碳氧化硅层；继续以案化光刻胶层为掩膜采用第二刻蚀条件依次刻蚀低温氧化硅层、抗反射层、正硅酸乙酯层和碳氧化硅层，形成器件密集区和器件非密集区深度一致的沟槽。本发明使器件密集区的沟槽深度与器件非密集区的沟槽深度达到一致，有效改善漏电流情况以及器件失效情况，进而提高了半导体器件的质量。

主权项

一种形成沟槽的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供依次形成有氮碳化硅层、碳氧化硅层、正硅酸乙酯层、抗反射层、低温氧化硅层及图案化光刻胶层的半导体衬底，所述半导体衬底分为器件密集区和器件非密集区；以图案化光刻胶层为掩膜，采用第一刻蚀条件依次刻蚀低温氧化硅层、抗反射层、正硅酸乙酯层和碳氧化硅层，其中，所述第一刻蚀条件采用的气体为CF4；继续以图案化光刻胶层为掩膜采用第二刻蚀条件依次刻蚀低温氧化硅层、抗反射层、正硅酸乙酯层和碳氧化硅层，形成器件密集区和器件非密集区深度一致的沟槽，其中，所述第二刻蚀条件采用的气体为CF4、Ar和N2的混合气体。