发明名称 |
一种自偏置巨磁阻抗传感器探头及其制备方法 |
摘要 |
一种自偏置巨磁阻抗传感器探头及其制备方法,属于信息功能器件技术领域。探头,包括非晶带状磁性材料和位于非晶带状磁性材料表面两端的金属对电极,所述金属对电极之间的非晶带状磁性材料两面分别沉积有一层钴铁氧体薄膜;上下两层钴铁氧体薄膜具有沿非晶带状磁性材料长度方向一致的硬磁相特性。探头制备时采用射频磁控溅射工艺在非晶带状磁性材料上沉积钴铁氧体薄膜和采用充磁机对钴铁氧体薄膜充磁使其呈现硬磁相的关键工艺。本发明提供的自偏置巨磁阻抗传感器探头具有体积小、易集成、无额外功耗的特点;产品制备简单、工艺可控、稳定性高;能够获得更宽范围的线性工作区,并大幅提高灵敏度。 |
申请公布号 |
CN102707247A |
申请公布日期 |
2012.10.03 |
申请号 |
CN201210183681.0 |
申请日期 |
2012.06.06 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
钟智勇;刘爽;张怀武;唐晓莉;苏桦;白飞明 |
分类号 |
G01R33/09(2006.01)I;G01R3/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01R33/09(2006.01)I |
代理机构 |
电子科技大学专利中心 51203 |
代理人 |
葛启函 |
主权项 |
一种自偏置巨磁阻抗传感器探头,包括非晶带状磁性材料(2)和位于非晶带状磁性材料(2)表面两端的金属对电极(3);其特征在于,所述金属对电极(3)之间的非晶带状磁性材料(2)两面分别沉积有一层钴铁氧体薄膜(1);上下两层钴铁氧体薄膜(1)具有沿非晶带状磁性材料(2)长度方向一致的硬磁相特性。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |