发明名称 |
SONOS结构制造方法以及SONOS结构 |
摘要 |
本发明提供了一种SONOS结构制造方法以及SONOS结构。根据本发明的SONOS结构制造方法包括:在衬底上制备隧穿氧化层;在隧穿氧化层上制备富硅的氮化硅层,富硅的氮化硅层的Si/N比是恒定的;在富硅的氮化硅层上制备硅含量渐变的氮化硅层;以及在硅含量渐变的氮化硅层上制备阻挡氧化层;其中,硅含量渐变的氮化硅层在从所述富硅的氮化硅层到所述阻挡氧化层的方向上硅含量渐少。通过改进SONOS结构中的氮化硅层结构,形成一层富硅的氮化硅层和渐变氮化硅层;由于富硅的氮化硅层中有更多的浅陷阱能级,有利于捕获电荷,增加编译和擦除的速度。并且,这些电荷被限制在Si/N渐变的氮化硅层中富氮的氮化硅层中较深的陷阱能级能够增加电荷的保留时间,使器件的可靠性增加。 |
申请公布号 |
CN102709168A |
申请公布日期 |
2012.10.03 |
申请号 |
CN201210009215.0 |
申请日期 |
2012.01.12 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
田志;谢欣云 |
分类号 |
H01L21/283(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/283(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种SONOS结构制造方法,其特征在于包括:在衬底上制备隧穿氧化层;在所述隧穿氧化层上制备富硅的氮化硅层,所述富硅的氮化硅层的Si/N比是恒定的;在所述富硅的氮化硅层上制备硅含量渐变的氮化硅层;以及在所述硅含量渐变的氮化硅层上制备阻挡氧化层;其中,所述硅含量渐变的氮化硅层在从所述富硅的氮化硅层到所述阻挡氧化层的方向上硅含量渐少。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 |