发明名称 |
用于真空磁控溅射的低含金量玫瑰金靶材及其制备方法 |
摘要 |
本发明属于冶金技术领域,具体涉及一种用于真空磁控溅射的低含金量玫瑰金靶材及其制备方法。本发明的用于真空磁控溅射的低含金量玫瑰金靶材的成分按重量百分比是:50~60wt.%Au-30~42wt.%Cu-1.4~5.0wt.%Zn-0.5~4.0wt.%Al-1.0~3.7wt.%In-0.1~1.3wt.%Co-0.05~1.5wt.%Y。其制备方法是:先将纯金属Cu和Co加热熔化,再将纯金属Y、In、Al和Zn依次加入到熔化的铜钴合金中,获得中间合金,将Au加热熔化,再将中间合金加入到熔化的Au中进行精炼,浇入模具,水淬获得合金锭,对合金锭进行机械加工,获得玫瑰金靶材。本发明的玫瑰金靶材含金量只有50~60wt.%Au,大大降低了使用和制备成本,具有更加优良的机械加工性能和广阔的应用前景。 |
申请公布号 |
CN102703751A |
申请公布日期 |
2012.10.03 |
申请号 |
CN201210117559.3 |
申请日期 |
2012.04.20 |
申请人 |
沈阳东创贵金属材料有限公司 |
发明人 |
赵宏达;刘革;于志凯 |
分类号 |
C22C5/02(2006.01)I;C22C1/03(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I |
主分类号 |
C22C5/02(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳东大专利代理有限公司 21109 |
代理人 |
李在川 |
主权项 |
一种用于真空磁控溅射的低含金量玫瑰金靶材,其特征在于组成成分按重量百分比是:50~60 wt.% Au‑30~42 wt.% Cu‑1.4~5.0 wt.% Zn‑0.5~4.0 wt.% Al‑1.0~3.7 wt.% In‑0.1~1.3 wt.% Co‑0.05~1.5 wt.% Y。 |
地址 |
110015 辽宁省沈阳市和平区文化东路89号 |