半导体元件的模型修正方法

摘要

本发明有关于一种半导体元件的模型修正方法，主要包括有以下步骤：对一目标半导体元件进行详细的电气特性分析以建立一目标模型，而目标模型可用以对目标半导体元件的特性进行描述，之后再依据电性测试的结果对目标模型进行修正以产生一修正模型，借此将可以修正模型对实际制造的半导体元件的特性进行正确的描述。

主权项

一种半导体元件的模型修正方法，其特征在于，包括有以下步骤：建立一目标模型，用以对一目标半导体元件的特性进行描述；依据至少一电性测试的结果对该目标模型进行修正；及产生一修正模型，用以对一工艺半导体元件的特性进行描述；其中所述依据至少一电性测试的结果对该目标模型进行修正的步骤包括对该目标模型的参数进行调整，该目标模型的参数包括Tox、xl、xw、vth0、u0、K1、dvt0、dvt2、rdsw、Lint、voff1、K3、K3b、dwg、Wint、dvtow及/或wwl。