以SiC晶片作为一级热沉的单发射腔半导体激光器

摘要

本发明涉及一种以SiC晶片作为一级热沉的单发射腔半导体激光器。包括一级热沉，Au-Sn焊层电极(正负极)，激光器芯片，连接金线，次级铜热沉以及改进的F封装结构。本发明特色在于与芯片直接接触的一级热沉采用SiC晶片，其热胀系数与芯片衬底材料的热胀系数相近，在消除芯片与铜热沉之间的热胀系数不匹配的同时，最大限度扩展芯片有效散热面积，均化热流密度分布，降低了系统热阻，从而显著减少芯片工作时热量的积累。数值模拟表明，在同等条件下，采用此种新型热沉结构设计可使散热功率增加近60％。采用改进的F封装结构，电极引线7、8直接从+-极Au-Sn焊层引出，减少了电极引线焊接点，有利于提高器件整体可靠性。

主权项

一种以SiC晶片作为一级热沉的单发射腔半导体激光器，其特征在于：所述的单发射腔半导体激光器包括一级热沉1，Au‑Sn焊层2(正极)，Au‑Sn焊层3(负极)，芯片4，连接金线5，次级铜热沉6，电极引线7。