发明名称 降低多线切割硅片损伤层的方法
摘要 本发明涉及一种降低多线切割硅片损伤层的方法,采用多线切割机对硅棒进行切割,工作台移动速度为0.30~0.35mm/min,入刀时钢线走线速度为15±1m/s,当硅棒完成1/5~1/3切割时钢线走线速度降为12±1m/s,当硅棒还剩1/5~1/3没切割时钢线走线速度降为10±1m/s。本发明的降低多线切割硅片损伤层的方法通过控制工作台速度和钢线走线速度的比值,降低垂直压力,以得到表面损伤较低的硅片,良品率增加,产能增加,成本降低。
申请公布号 CN102700012A 申请公布日期 2012.10.03
申请号 CN201210168209.X 申请日期 2012.05.28
申请人 常州华盛恒能光电有限公司 发明人 王煜辉
分类号 B28D5/04(2006.01)I 主分类号 B28D5/04(2006.01)I
代理机构 北京市惠诚律师事务所 11353 代理人 王美华
主权项 一种降低多线切割硅片损伤层的方法,采用多线切割机对硅棒进行切割,其特征是:工作台移动速度为0.30‑0.35mm/min,入刀时钢线走线速度为15±1m/s,当硅棒完成1/5~1/3切割时钢线走线速度降为12±1m/s,当硅棒还剩1/5~1/3没切割时钢线走线速度降为10±1m/s。
地址 213200 江苏省常州市金坛市华城路316号常州华盛恒能光电有限公司