用于半导体封装应用中的互连导电物薄膜及其相关方法

摘要

本发明公开了用于集成电路封装的互连导电物薄膜(30)。所述互连导电物薄膜包括承载多个导电区域的基板。所述基板由聚酰亚胺和亚微米级填料组成。所述聚酰亚胺衍生自至少一种芳族二酸酐组分和至少一种芳族二胺组分，所述芳族二酸酐组分选自刚棒二酸酐、非刚棒二酸酐以及它们的组合，所述芳族二胺组分选自刚棒二胺、非刚棒二胺以及它们的组合。所述二酸酐与二胺的摩尔比为48-52∶52-48，并且X∶Y的比率为20-80∶80-20，其中X为刚棒二酸酐和刚棒二胺的摩尔百分比，并且Y为非刚棒二酸酐和非刚棒二胺的摩尔百分比。所述亚微米级填料在至少一个尺寸上小于550纳米；具有大于3∶1的长宽比；在所有尺寸上小于所述薄膜的厚度。

主权项

互连导电物薄膜，包含由具有5‑150微米厚度的基板承载的多个导电域，所述基板包含：a)衍生自以下物质的聚酰亚胺：i)至少一种芳族二酸酐组分，所述芳族二酸酐组分选自刚棒二酸酐、非刚棒二酸酐以及它们的组合，和ii)至少一种芳族二胺组分，所述芳族二胺组分选自刚棒二胺、非刚棒二胺以及它们的组合；其中基于所述聚酰亚胺的总二酸酐组分和总二胺组分计，所述二酸酐与二胺的摩尔比为48‑52∶52‑48，并且X∶Y的比率为20‑80∶80‑20，其中X为刚棒二酸酐和刚棒二胺的摩尔百分比，并且Y为非刚棒二酸酐和非刚棒二胺的摩尔百分比；和b)亚微米级填料：i)在至少一个尺寸上小于(数均)550纳米；ii)具有大于3∶1的长宽比；iii)在所有尺寸上小于所述基板厚度；并且iv)以所述基板的10‑45体积％的量存在。