| 发明名称 | 用于去除衬底层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种仅单面地以湿化学法去除存在于如特别是硅片的扁平的衬底上的钝化氧化层和/或电介质氧化层的方法，所述方法通过单面蚀刻被水平地输送通过用蚀刻液填充的容器的衬底的底面进行。在使用这种方法的情况下，不需以覆层或机械辅助机构的方式来保护非待处理的衬底面。根据本发明提出，所述蚀刻液含有水、氢氟酸以及至少另一种选自以下的成分：硫酸和磷酸以及硫酸和磷酸的碱性酸式盐、含铵酸式盐和含有机铵酸式盐、盐类、六氟合硅酸和四氟化硅。 | ||
| 申请公布号 | CN102714132A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN200980163004.9 | 申请日期 | 2009.12.18 |
| 申请人 | 睿纳有限责任公司 | 发明人 | 贝恩德-乌韦·桑德尔;斯特芬·奎塞尔;弗兰克·迪拉海 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 张春水;田军锋 |
| 主权项 | 一种仅单面地以湿化学法去除存在于如特别是硅片的扁平的衬底上的钝化氧化层和/或电介质氧化层的方法，所述方法通过单面蚀刻被水平地输送通过用蚀刻液填充的容器的衬底的底面进行，其中，所述蚀刻液含有水、氢氟酸以及至少另一种选自以下的成分：硫酸和磷酸以及所述硫酸和所述磷酸的碱性酸式盐、含铵酸式盐和含有机铵酸式盐、盐类、六氟合硅酸和四氟化硅。 | ||
| 地址 | 德国居滕巴赫 | ||