| 发明名称 | 一种顶栅型TFT阵列基板及显示装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型实施例提供一种顶栅型TFT阵列基板及显示装置，涉及显示面板制造领域，以解决背光对半导体有源层产生破坏，导致漏电流增大、残像增加的问题。顶栅型TFT阵列基板包括：在TFT沟道处具有遮光层，所述遮光层位于半导体有源层和衬底基板之间，且所述遮光层与所述TFT的源极和漏极无缝接触。本实用新型实施例用于制造显示装置。 | ||
| 申请公布号 | CN202473925U | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201220130645.3 | 申请日期 | 2012.03.30 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 孙双 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种顶栅型TFT阵列基板，其特征在于，在TFT沟道处具有遮光层，所述遮光层位于半导体有源层和衬底基板之间，且所述遮光层与所述TFT的源极和漏极无缝接触。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||