用于升压电路中的N阱电位控制电路

摘要

本发明提供一种用于升压电路中的N阱电位控制电路，其包括：采用MOS管和电流源构成且用于比较升压电路接入的输入电源Vin和输出的电压Vout的比较电路；分别接入输入电源Vin和电压Vout且输出互连以便与升压电路中的N阱连接的输入电源选择管和输出电压选择管；连接在所述比较电路输出端以便在输入电源选择管导通时能向所述输出电压选择管提供不低于Vout的关断信号的第一控制电路；以及与所述比较电路输出端及升压电路的输出端以便在输出电压选择管导通时能向所述输入电源选择管提供不低于Vin的关断信号的第二控制电路，由此可在输入电源电压低于升压电路的输出电压时，完全关闭输入电源选择管，进而有效降低功耗，增加电路的稳定性，并减小芯片面积。

主权项

一种用于升压电路中的N阱电位控制电路，其特征在于包括：采用MOS管和电流源构成的比较电路，用于比较升压电路接入的输入电源Vin和输出的电压Vout；分别接入输入电源Vin和电压Vout的输入电源选择管和输出电压选择管，且输入电源选择管和输出电压选择管的输出端互连以便与升压电路中的N阱连接；连接在所述比较电路输出端以便在输入电源选择管导通时能向所述输出电压选择管提供不低于Vout的关断信号的第一控制电路，所述第一控制电路为反相器；与所述比较电路输出端及升压电路的输出端相连接以便在输出电压选择管导通时能向所述输入电源选择管提供不低于Vin的关断信号的第二控制电路，所述第二控制电路包括：两条分别在所述反相器的输入信号和输出信号控制下输出电压Vout或0的电路，所述第二控制电路包括：漏端接入电压Vout、栅端接第五NMOS管的漏端的第四PMOS管；漏端接第四PMOS管源端、栅端接反相器输入端、源端接地的第四NMOS管；栅端接第四NMOS管漏端、漏端接电压Vout的第五PMOS管；以及栅端接反相器输出端、漏端接第五PMOS管源端、源端接地的第五NMOS管；所述比较电路包含由漏端接入电压Vin的第一PMOS管和第一电流源串联而成的电路、以及由漏端接入电压Vout且栅端与所述第一PMOS管栅端相连的第二PMOS管和第二电流源串联而成的电路，其中，第一PMOS管的宽长比的比值和第二PMOS管的宽长比的比值之比等于第一电流源和第二电流源的电流比值。