发明名称 全背电极太阳能电池的生产方法
摘要 本发明涉及一种全背电极太阳能电池的生产方法,具有如下步骤:1.单面硼扩散,在N型硅片背面形成P+层;2.在P+层上沉积制绒掩膜层;3.单面制绒;4.磷扩散在硅片受光面制备前表面场;5.去掉制绒掩膜层及PSG;6.热氧化生长SiO2掩膜层;7.在硅片背面的背面场区域进行开槽,槽深H要大于等于P-N结结深+背面场的深度;8.在开槽区域底部印刷高度小于槽深H减去P-N结深的含磷的掺杂剂;9.高温扩散,在槽底部形成N+层;10.去掉PSG及SiO2掩膜层;11.正反面制作钝化膜;12.丝网印刷金属电极;13.烧结。本发明的有益效果是:利用P+与N+区域的高度差就是基体N区域,大大提升了电池效率且降低了生产成本,适合规模化生产。
申请公布号 CN102709385A 申请公布日期 2012.10.03
申请号 CN201210141633.5 申请日期 2012.05.08
申请人 常州天合光能有限公司 发明人 张学玲
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 常州市维益专利事务所 32211 代理人 王凌霄
主权项 一种全背电极太阳能电池的生产方法,其特征是:具有如下步骤:1.单面硼扩散,在N型硅片(1)背面形成P+层(2);2.在背面的P+层(2)上沉积制绒掩膜层(3);3.单面制绒;4.磷扩散在硅片(1)受光面制备前表面场(4);5.去掉制绒掩膜层(3)及PSG;6.热氧化生长SiO2掩膜层(5);7.在硅片(1)背面的背面场区域进行开槽,槽深H要大于等于P‑N结结深+背面场的深度;8.在开槽区域底部印刷高度小于槽深H减去P‑N结深的含磷的掺杂剂(9);9.高温扩散,在槽底部形成N+层(6);10.去掉PSG及SiO2掩膜层(5);11.正反面制作钝化膜(7);12.丝网印刷金属电极(8);13.烧结。
地址 213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号