发明名称 | 一种高灵敏度的CoFeB基磁隧道结 | ||
摘要 | 本发明公开了一种具有高灵敏度的CoFeB基磁隧道结。该CoFeB基磁隧道结的结构依次包括:基片、过渡层、磁性电极层、绝缘层、磁性电极层、保护层;其中,所述磁性电极层为CoFeB层,所述过渡层为钨层。具体结构可为:Si/SiO2/W(3-15nm)/CoFeB(5-20nm)/MgO或Al2O3(1-3nm)/CoFeB(5-20nm)/Ta(1-5nm)。本发明使用W替代Ta作为磁隧道结中的过渡层,可以促进CoFeB在低磁场下实现敏锐的翻转,并且具有良好的热稳定性。由于W层不容易与Co、Fe形成合金,界面处的CoFeB保持良好的非晶形貌,得到的材料矫顽力小、矩形度高。材料在退火后矫顽力和矩形度变化不大,热稳定性良好。 | ||
申请公布号 | CN102709467A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
申请号 | CN201210181264.2 | 申请日期 | 2012.06.04 |
申请人 | 清华大学 | 发明人 | 宋成;崔彬;潘峰 |
分类号 | H01L43/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 关畅 |
主权项 | 一种CoFeB基磁隧道结,其结构依次包括:基片、过渡层、磁性电极层、绝缘层、磁性电极层、保护层,所述磁性电极层为CoFeB层;其特征在于:所述过渡层为钨层。 | ||
地址 | 100084 北京市海淀区清华园1号清华大学 |