| 发明名称 | 提高硅晶体电池片转换效率的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种提高硅晶体电池片转换效率的方法：硅片在正式制备电池前进行如下的热处理；在氮气、氩气、氦气的一种或几种惰性混合气体气氛中，将硅片以20~200℃/s的速率快速加热至900℃以上，热处理1s~30min，然后以30℃~80℃/s的速率冷却至室温,将硅晶体中沉淀铁转换为间隙铁；将上述热处理后的硅片制备电池片。本发明的有益效果是：在硅片处理阶段通过快速的热处理工艺，将硅片中10%~80%的沉淀铁转换成间隙铁，沉淀铁的含量得到了大幅度的降低，处理后的硅片制备成电池片后，电池片的效率的绝对值提高了0.5%~2%。 | ||
| 申请公布号 | CN102709181A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201210141799.7 | 申请日期 | 2012.05.08 |
| 申请人 | 常州天合光能有限公司 | 发明人 | 刘振淮;熊震;付少永;张驰 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/324(2006.01)I |
| 代理机构 | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人 | 王凌霄 |
| 主权项 | 一种提高硅晶体电池片转换效率的方法,其特征是：硅片在正式制备电池前进行如下的热处理:在氮气、氩气、氦气的一种或几种惰性混合气体气氛中，将硅片以20~200℃/s的速率快速加热至900℃以上，热处理1s~30min，然后以30℃~80℃/s的速率冷却至室温,将硅晶体中沉淀铁转换为间隙铁；将上述热处理后的硅片制备电池片。 | ||
| 地址 | 213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 | ||