一种降低单晶硅内部气孔的生产方法

摘要

本发明公开了一种单晶硅生产拉晶过程中的工艺方法，尤其是降低单晶硅内部气孔的生产方法，是通过对硅料进行加热化料步骤中减小氩气流量和炉压，在坩埚旋转步骤中增加转速，在单晶引颈步骤中增大氩气流量和炉压来实现的。本发明可实现排除硅液或坩埚中的气泡，从而降低了固体单晶中气泡的含量，提高了产品的合格率。

主权项

一种降低单晶硅内部气孔的生产方法，包括硅料加热化料步骤、坩埚旋转步骤和单晶引颈步骤，其特征在于：所述硅料加热化料步骤中，氩气流量为10～15 L/min，炉内压力为280～500 Pa；所述坩埚旋转步骤中，前0.5h坩埚旋转的速度为在6～10 r/min之间进行高、低速循环间隔切换；中间0.5h坩埚旋转的速度为在2～10 r/min之间进行高、低速循环间隔切换；最后1h坩埚转速恒定为2 r/min。