发明名称 可控硅触发电路
摘要 本发明涉及一种成本低廉且可靠性较好的双向可控硅触发电路,其包括:第一三极管、第二三极管、变压器、电容和双向可控硅;当控制信号输入端口为低电平时,第一三极管截止,直流电源对电容充电,驱动第二三极管饱和导通并激励变压器的初级线圈,使变压器的次级线圈经过第三二极管输出正向驱动电压,使双向可控硅导通,使负载得电;当电容充满后,第二三极管截止,所述第三二极管处于反向截止状态,使所述负载断电;当控制所述控制信号输入端口为高电平时,第一三极管饱和导通,电容与第一三极管、第五电阻构成放电回路,直至将电容上的电放完,然后在所述控制信号输入端口为低电平时重复上述步骤。
申请公布号 CN102142833B 申请公布日期 2012.10.03
申请号 CN201110024753.2 申请日期 2011.01.24
申请人 常州汇邦电子有限公司 发明人 陈冲;王兴强;孙明宏
分类号 H03K17/72(2006.01)I 主分类号 H03K17/72(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种可控硅触发电路,其特征在于包括:第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)、变压器(T1)、电容(C1)和双向可控硅(SCR);所述第一三极管(Q1)的基极接第一电阻(R1)的一端,第一电阻(R1)的另一端为控制信号输入端口(IN);第一三极管(Q1)的集电极经电容(C1)与第二三极管(Q2)的基极相连,第一三极管(Q1)的集电极经限流电阻(R3)与直流电源(VCC)相连,第一三极管(Q1)和第二三极管(Q2)的发射极接地;第一三极管(Q1)的发射极与第二三极管(Q2)的基极之间连接有第五电阻(R5);所述第一三极管(Q1)的基极和发射极之间设有第四电阻(R4);第二三极管(Q2)的集电极接变压器(T1)的初级线圈的一端,该初级线圈的另一端接所述直流电源(VCC),且该初级线圈的两端设有续流二极管(D2);变压器(T1)的次级线圈的正极端与一第三二极管(D3)的阳极相连,第三二极管(D3)的阴极接双向可控硅(SCR)的控制极;变压器(T1)的次级线圈的负极端接双向可控硅(SCR)的一个主端子,双向可控硅(SCR)的两个主端子串联于负载(RL)的交流电源回路中;当直流电源(VCC)开始供电,且控制所述控制信号输入端口(IN)为低电平时,所述第一三极管(Q1)截止,所述直流电源(VCC)通过所述限流电阻(R3)对电容(C1)进行充电,驱动第二三极管(Q2)饱和导通,从而激励变压器(T1)的初级线圈,从而使变压器(T1)的次级线圈经过第三二极管(D3)输出正向驱动电压,使双向可控硅(SCR)导通,进而使所述负载(RL)得电;当电容(C1)充满后,第二三极管(Q2)截止,变压器(T1)的初级线圈产生反向电动势,通过续流二极管(D2)续流放电,所述第三二极管(D3)处于反向截止状态,即第三二极管(D3)输出的脉宽触发信号截止,使双向可控硅(SCR)在交流电源正负半波交替时截止,进而使所述负载(RL)断电;当控制所述控制信号输入端口(IN)为高电平时,第一三极管(Q1)饱和导通,电容(C1)与第一三极管(Q1)、第五电阻(R5)构成放电回路,直至将电容(C1)上的电放完,然后在所述控制信号输入端口(IN)为低电平时重复上述步骤;所述的可控硅触发电路还包括第一二极管(D1),第一二极管(D1)的阴极接第二三极管(Q2)的基极,第一二极管(D1)的阳极接第一三极管(Q1)的发射极。
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