| 发明名称 | 磁通导引结构 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例提供一种结构，包括磁导，其包括多个谐振电路元件(110,120,310F)，各元件包括导电环部分(112,122)，该环部分(112,122)的相对端通过电容元件(114,124)彼此耦合，磁导(115,315)的相邻谐振元件被布置成彼此磁感应耦合，从而允许磁导(115,315)支持磁感应（MI）波，其中谐振元件（1205）中的至少一个在第一状态与第二状态之间是可切换的，在第一状态中所述元件被布置成支持MI波沿波导传播，在第二状态中所述元件被布置成阻止MI波沿波导传播。 | ||
| 申请公布号 | CN102714092A | 申请公布日期 | 2012.10.03 |
| 申请号 | CN201080055429.0 | 申请日期 | 2010.12.07 |
| 申请人 | ISIS创新有限公司 | 发明人 | 克里斯托弗·约翰·史蒂文斯;马尔科姆·邓肯·麦克卡罗奇 |
| 分类号 | H01F38/00(2006.01)I;H01P3/00(2006.01)I | 主分类号 | H01F38/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人 | 张亚宁 |
| 主权项 | 一种结构，包括：磁导，其包括多个谐振电路元件(110,120,310F)，各元件包括导电环部分(112,122)，该环部分(112,122)的相对端通过电容元件(114,124)彼此耦合，磁导(115,315)的相邻谐振元件被布置成彼此磁感应耦合，从而允许磁导(115,315)支持磁感应（MI）波，其中谐振元件（1205）中的至少一个在第一状态与第二状态之间是可切换的，在第一状态中所述元件被布置成支持MI波沿波导传播，在第二状态中所述元件被布置成阻止MI波沿波导传播。 | ||
| 地址 | 英国牛津 | ||