非挥发存储器的自校准方法和电路及非挥发存储器电路

摘要

本发明公开了一种非挥发存储器读出电路的自校准方法，将记录了基准电流的个性化数据用比特对的形式存入存储器，对灵敏放大器进行调节，当输出的个性化数据中“0”和“1”的数量相同时，依据该个性化数据得到基准电流的大小。本发明还公开了一种非挥发存储器的自校准电路，包括个性化数据存储模块、灵敏放大器模块、逻辑判断模块和扫描模块。本发明又公开了一种非挥发电可擦除的存储器电路，包括存储器单元阵列和非挥发存储器读出电路的自校准电路。本发明不需要额外的熔断器或差分单元，即能够安全可靠的解决死锁问题而不增加电路面积和测试成本，可以广泛应用于各种工艺的OTP，MTP，EEPROM或Flash EEPROM等各类非挥发存储器，有效提高存储器的可靠性。

主权项

一种非挥发存储器读出电路的自校准方法，其特征在于，将二进制的个性化数据用比特对的形式存入存储器，所述个性化数据的数值记录了存储器正常工作所需要的基准电流的大小，所述比特对的形式是指个性化数据中的每一位都用两位不同的二进制数“0”和“1”的先后位置变化来表示，存储器电路上电后，对控制基准电流大小的灵敏放大器进行调节，当输出的所述用比特对存储的个性化数据中，“0”和“1”的数量相同时，读出该个性化数据从而得到基准电流大小的数值，依据该基准电流大小的数值控制所述灵敏放大器对于基准电流的输出。