画素结构及其形成方法与驱动方法

摘要

一种画素结构，设置于一第一基板上，且电性连接于至少一扫描线及至少一资料线，该画素结构包括一第一切换元件、一第二切换元件、至少一画素电极、至少一控制电极以及至少一耦合电极，第一切换元件电性连接于该扫描线及该资料线，第二切换元件电性连接于该扫描线及该资料线，画素电极电性连接于该第二切换元件，控制电极电性连接于该第一切换元件，耦合电极位于部份该控制电极之下方。

主权项

一种画素结构，设置于一第一基板上，且电性连接于至少一扫描线及至少一资料线，该画素结构包括：一第一切换元件，电性连接于该扫描线及该资料线；一第二切换元件，电性连接于该扫描线及该资料线；至少一画素电极，电性连接于该第二切换元件；至少一控制电极，电性连接于该第一切换元件；以及至少一耦合电极，位于部份该控制电极之下方，其中，部份该耦合电极与该部份控制电极之间具有至少一耦合电容器。如申请专利范围第1项所述之画素结构，其中，部份该控制电极与部份该画素电极之间具有至少一控制电容器。如申请专利范围第1项所述之画素结构，更包含至少一第一共通电极线，位于部份该画素电极之下方。如申请专利范围第3项所述之画素结构，其中部份该画素电极与部份该共通电极线之间具有一第一共通电容器。如申请专利范围第1项所述之画素结构，其中该第一切换元件包含一电晶体，该电晶体具有一耦接于该扫描线之闸极、一耦接于该资料线之源极、及一耦接于该控制电极之汲极。如申请专利范围第1项所述之画素结构，其中该第二切换元件包含一电晶体，该电晶体具有一耦接于该扫描线之闸极、一耦接于该资料线之源极、及一耦接于该画素电极之汲极。如申请专利范围第1项所述之画素结构，更包含一对应设置于该第一基板之第二基板，且该第二基板具有一共通电极。如申请专利范围第7项所述之画素结构，其中，该第二基板之该共通电极及部份该画素电极之间具有至少一第一电容器。如申请专利范围第8项所述之画素结构，其中，该第二基板之该共通电极及部份该控制电极之间具有至少一第二电容器。如申请专利范围第3项所述之画素结构，更包含至少一第二共通电极线，位于部份该画素电极之下方。如申请专利范围第10项所述之画素结构，其中，该第一共通电极线、该第二共通电极及部份该画素电极之间，分别具有至少一第一共通电容器及至少一第二共通电容器。如申请专利范围第10项所述之画素结构，其中，施加于该第一共通电极线及该第二共通电极线之一讯号，实质上不同。如申请专利范围第10项所述之画素结构，其中，施加于该第一共通电极线及该第二共通电极线之一讯号，实质上相同。如申请专利范围第10项所述之画素结构，其中，施加于该第二共通电极线及该耦合电极之一讯号，实质上不同。如申请专利范围第12项所述之画素结构，其中，该该第一共通电极线之该讯号与该第二共通电极线之该讯号实质上为反相。如申请专利范围第7项所述之画素结构，其中，该控制电极与该共通电极之一电压差绝对值，实质上不同于该画素电极与该共通电极之一电压差绝对值。如申请专利范围第7项所述之画素结构，其中，该控制电极与该共通电极之一电压差绝对值，实质上大于该画素电极与该共通电极之一电压差绝对值。如申请专利范围第1项所述之画素结构，其中，该控制电极之材质实质上相同于该资料线之材质与该画素电极之材质之其中一者。如申请专利范围第1项所述之画素结构，其中，该耦合电极之材质实质上相同于该扫描线之材质与该资料线之材质之其中一者。一种画素结构之形成方法，该画素结构形成于一第一基板上，且电性连接于至少一扫描线及至少一资料线，该方法包括：形成一第一切换元件，于该画素结构中，且电性连接于该扫描线及该资料线；形成一第二切换元件，于该画素结构中，且电性连接于该扫描线及该资料线；形成至少一画素电极，于该画素结构中，且电性连接于该第二切换元件；形成至少一控制电极，于该画素结构中，且电性连接于该第一切换元件；形成一介电层，位于该至少一控制电极之下方；以及形成至少一耦合电极，于部份该控制电极及该介电层之下方，以在部份该耦合电极与该部份控制电极之间形成至少一耦合电容器。如申请专利范围第20项所述之方法，更包含，形成至少一第一共用电极线于部份该画素电极之下方。如申请专利范围第21项所述之方法，更包含，形成至少一第二共用电极线于部份该画素电极之下方。如申请专利范围第22项所述之方法，其中，施加于该第一共通电极线及该第二共通电极线之一讯号，实质上不同。如申请专利范围第22项所述之方法，其中，施加于该第一共通电极线及该第二共通电极线之一讯号，实质上相同。如申请专利范围第22项所述之方法，其中，施加于该第二共通电极线及该耦合电极之一讯号，实质上不同。如申请专利范围第23项所述之方法，其中，该第一共通电极线及该第二共通电极线之该讯号实质上为反相。如申请专利范围第20项所述之方法，其中，该控制电极之材质实质上相同于该资料线之材质与该画素电极之材质之其中一者。如申请专利范围第20项所述之方法，其中，该耦合电极之材质实质上相同于该扫描线之材质与该资料线之材质之其中一者。如申请专利范围第20项所述之方法，其中该第一切换元件包含一电晶体，该电晶体具有一耦接于该扫描线之闸极、一耦接于该资料线之源极、及一耦接于该控制电极之汲极。如申请专利范围第20项所述之方法，其中该第二切换元件包含一电晶体，该电晶体具有一耦接于该扫描线之闸极、一耦接于该资料线之源极、及一耦接于该画素电极之汲极。一种画素结构的驱动方法，该画素结构设置于一第一基板上，且电性连接于至少一扫描线及至少一资料线，且其具有一第一切换元件、一第二切换元件、至少一画素电极、至少一控制电极以及至少一耦合电极，包括：提供一对应于一显示资料的电压给一画素电极与该控制电极，使得该画素电极与该控制电极处于一浮接状态；提供一第一耦合电压给该耦合电极；以及将该第一耦合电压之变化量透过至少一耦合电容耦合至该控制电极，使得该控制电极与一共通电极的电压差实质上大于该画素电极与该共通电极的电压差，其中该共通电极位于一第二基板上，且对应于该第一基板。如申请专利范围第31项所述之驱动方法，更包括：提供该第一耦合电压给一第一储存电容之一端，并透过该第一储存电容将该第一耦合电压之变化量耦合至该画素电极，其中该第一储存电容之另一端耦接至该画素电极；以及；提供一第二耦合电压给一第二储存电容之一端，并透过该第二储存电容将该第二耦合电压之变化量耦合至该画素电极，其中该第一储存电容之另一端耦接至该画素电极。如申请专利范围第31项所述之驱动方法，其中，该第一耦合电压与该第二耦合电压讯号实质上不同。如申请专利范围第31项所述之驱动方法，其中，该第一耦合电压与该第二耦合电压讯号，实质上相同。如申请专利范围第31项所述之驱动方法，其中，该第一耦合电压与该第二耦合电压讯号实质上为反相。