| 摘要 |
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а более конкретно - к устройствам и конструкциям полупроводниковых переходов, образующихся при контакте двух полупроводников (р-n перехода в случае их разных проводимостей и гетероперехода при разном их химическом строении) или контакте полупроводника с металлом (переход Шотки), к способам их выполнения, а также к преобразователям электромагнитного излучения, а также другим полупроводниковым приборам, содержащим такие переходы. В способе изготовления пучкового перехода на полупроводниковой подложке выполняют N>1 отдельных однотипных переходов, объединяют их в параллельную цепь посредством токовых электродов, причем объем каждого однотипного перехода выбирают меньше объема, содержащего наиболее опасный характерный доминирующий дефект в полупроводниковой базе. Полученная конструкция и структура переходов устойчива к влиянию хаотично распределенных дефектов в полупроводниковой подложке, и наличие таких дефектов не сказывается на электрических параметрах полупроводниковых приборов. |
