超结器件的非平衡结终端结构

摘要

本发明涉及一种超结器件的非平衡结终端结构。本发明的结终端结构的结终端区设置若干个掺杂浓度不同的均匀P柱，根据各处的横向电场分布情况从版图设计上进行相应调整P柱的有效离子注入面积，使达到击穿电压时P柱区完全耗尽，所有P柱均是在P柱掩膜板掩膜下同时注入，从而控制了结终端区的各P柱的受主离子总量，并通过多次外延多次离子注入之后进行长时间高温推结形成掺杂浓度不同的几个均匀的P柱。本发明可以有效地改善结终端器件的击穿电压特性，并且具有较短的结终端长度，使得器件的总体器件面积得到缩小，在相同的芯片面积上进一步减小了器件导通电阻。

主权项

一种超结器件的非平衡结终端结构，其特征在于：所述的结终端结构的结终端区设置若干个掺杂浓度不同的均匀P柱。