| 发明名称 | 化合物半导体晶片的加工方法以及加工装置 | ||
| 摘要 | 提供一种能够降低化合物半导体晶片的缺陷、破裂不良的研磨加工方法。本发明的化合物半导体晶片的加工方法对化合物半导体晶片的双面进行抛光加工，包括在上平台与下平台之间配置上述半导体晶片而进行抛光加工的工序，在上述上平台的上述晶片侧的面粘贴有软质材料。本发明的加工装置包括上平台和下平台，用于在上述上平台与下平台之间配置半导体晶片而对该半导体晶片的双面进行抛光加工，在上述上平台的上述晶片侧的面粘贴有软质材料。 | ||
| 申请公布号 | CN102696096A | 申请公布日期 | 2012.09.26 |
| 申请号 | CN201080060614.9 | 申请日期 | 2010.12.16 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 目崎义雄;山崎哲弥;西浦隆幸 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;B24B37/08(2012.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 谢丽娜;关兆辉 |
| 主权项 | 一种化合物半导体晶片的加工方法，对化合物半导体晶片的双面进行抛光加工，其特征在于，包括在上平台与下平台之间配置上述半导体晶片而进行抛光加工的工序，在上述上平台的上述晶片侧的面粘贴有软质材料。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||