半导体器件

摘要

一种半导体器件，其第1导电型的第1半导体层将第1方向作为长度方向，从元件区域延伸至元件终端区域，具有第1杂质浓度，第1导电型的第2半导体层在第1半导体层的下层，将第1方向作为长度方向，从元件区域延伸至元件终端区域，具有比第1杂质浓度小的第2杂质浓度，第1导电型的第3半导体层将第1方向作为长度方向，从元件区域延伸至元件终端区域，具有比第2杂质浓度小的第3杂质浓度，与第2半导体层相接地配置。元件区域中第1半导体层与场氧化膜之间的边界、与第3半导体层在所述第5半导体层侧的端部之间的距离，比元件终端区域中第1半导体层与场氧化膜之间的边界、与第3半导体层在第5半导体层侧的端部之间的距离小。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，具备：半导体基板；元件区域，形成于所述半导体基板上，并形成有MOS晶体管；元件终端区域，形成于所述半导体基板上，并形成于所述元件区域的终端部；第1导电型的第1半导体层，将第1方向作为长度方向，从所述元件区域延伸而形成至所述元件终端区域，并且具有第1杂质浓度，在所述元件区域中，用作所述MOS晶体管的漏极区域；第1导电型的第2半导体层，在所述第1半导体层的下层，将所述第1方向作为长度方向，从所述元件区域延伸而形成至所述元件终端区域，并且具有比所述第1杂质浓度小的第2杂质浓度；第1导电型的第3半导体层，将所述第1方向作为长度方向，从所述元件区域延伸而在半导体基板上形成至所述元件终端区域，并且具有比所述第2杂质浓度小的第3杂质浓度，该第1导电型的第3半导体层与所述第2半导体层相接地配置，用作所述MOS晶体管的漂移层；场氧化膜，在所述第3半导体层的表面与所述第1半导体相接地配置；第2导电型的第4半导体层，在所述半导体基板上，将所述第1方向作为长度方向，从所述元件区域延伸而形成至所述元件终端区域，用作所述MOS晶体管的沟道区域；第1导电型的第5半导体层，形成于所述第4半导体层的表面，用作所述MOS晶体管的源极区域；和栅极电极，跨过所述第3半导体层及所述第4半导体层，隔着栅极绝缘膜形成在所述半导体基板的表面上，所述元件区域中的所述第1半导体层与所述场氧化膜之间的边界、与所述第3半导体层的所述第5半导体层侧的端部之间的距离，比所述元件终端区域中的所述第1半导体层与所述场氧化膜之间的边界、与所述第3半导体层的所述第5半导体层侧的端部之间的距离小。