CVD反应器中气态前体的热化

摘要

本发明涉及半导体加工领域，并提供了通过促进前体气体在其反应之前更有效地热化来改进半导体材料的化学气相沉积(CVD)的设备和方法。在优选实施方式中，本发明包括传热结构体及其在CVD反应器内的安置方式，以促进向流动处理气的传热。在一些可用于对来自加热灯的辐射透明的CVD反应器的优选实施方式中，本发明包括辐射吸收性表面，所述辐射吸收性表面被放置来获取来自所述加热灯的辐射并将其传递至流动处理气。

主权项

一种CVD反应室(19a，19b，19c，19d，31a，31b，31c)，所述CVD反应室包含一个或多于一个热源(1’，1”)和一个或多于一个传热结构体(11a，11b，11c，11d，21c，43a，45a，43b，45b，45c)，所述传热结构体被安置来接收来自一个或多于一个所述热源的热量，并将所接收的热量传导至一种或多于一种流动于所述反应室内的处理气，其特征在于，所述一个或多于一个传热结构体被安置在所述反应室内以便至少部分地限定处理气流经的内区(15a，15b，15c，15d)，其中所述热量的至少一部分在所述处理气在所述反应室内的基片处发生CVD反应之前传导至所述处理气，其中，至少一个所述传热结构体(11a，11b，11c，11d，21c，43a，45a，43b，45b，45c)包含能够受热的表面，所述表面被放置为使得在所述处理气发生CVD反应之前暴露于所述流动处理气，而至少一个在所述处理气发生CVD反应之前暴露于所述流动处理气的表面能够通过自电阻热源传热或自辐射热源(1’，1”)吸热而接收热量，其中，相对于穿过所述反应室的处理气流，至少一部分所述能够受热的表面位于所述基片沿处理气流的上游，并在处理气流横向上与所述基片相隔。