| 发明名称 | 具有石墨烯纳米带异质结构的隧穿场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及隧穿场效应晶体管技术领域，公开了一种具有石墨烯纳米带异质结构的隧穿场效应晶体管，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成于所述沟道区的两侧，所述沟道区的材料为石墨烯纳米带，所述源区的材料为p型掺杂的石墨烯纳米带，所述漏区的材料为n型掺杂的石墨烯纳米带，且所述源区的石墨烯纳米带的宽度大于所述沟道区、漏区的石墨烯纳米带的宽度。本发明利用石墨烯纳米带形成的异质结构在保持隧穿场效应晶体管较小漏电流的同时增大开态电流，并进一步减小亚阈值斜率。 | ||
| 申请公布号 | CN102694030A | 申请公布日期 | 2012.09.26 |
| 申请号 | CN201210180199.1 | 申请日期 | 2012.06.01 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 刘飞;刘晓彦;杜刚;王漪 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 王莹 |
| 主权项 | 一种具有石墨烯纳米带异质结构的隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成于所述沟道区的两侧，所述沟道区的材料为石墨烯纳米带，所述源区的材料为p型掺杂的石墨烯纳米带，所述漏区的材料为n型掺杂的石墨烯纳米带，且所述源区的石墨烯纳米带的宽度大于所述沟道区、漏区的石墨烯纳米带的宽度。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||