三维N进制掩膜编程只读存储器

摘要

N进制掩膜编程存储器，本发明提出一种N(>2)进制掩膜编程存储器(N-MPM)，尤其是三维N(>2)进制掩膜编程存储器(3-D N-MPM)。N-MPM存储元具有N种可能状态。数字信息按N进制代码来存储。由于每个存储元可以存储>1位信息，N-MPM比常规的二进制MPM(2-MPM，每个存储元存储1位信息)存储密度大。

主权项

一种三维N进制掩膜编程只读存储器，其特征在于含有：一个含有晶体管的半导体衬底(0)；多个相互叠置的掩膜编程存储层(100、200)，所述存储层叠置于该衬底上并通过多个位于该存储器之内的接触通道孔与该衬底耦合，每个存储层含有多个掩膜编程存储元，每个掩膜编程存储元含有一条高层地址线、一条低层地址线和一个似二极管元件，每个所述掩膜编程存储层均是平面化的；所述掩膜编程存储元具有至少N种可能状态，其中N＞2；在一读电压下，处于不同状态的存储元具有不同的读电流范围；其中，处于相同状态的存储元具有相同的结特性；处于不同状态的存储元具有不同的结特性。