电子元件的晶圆级封装及其制造方法

摘要

本发明提供一种电子元件的晶圆级封装及其制造方法。上述电子元件的晶圆级封装的制造方法包括提供半导体晶圆，其上包括多个电子元件芯片。粘结该半导体晶圆与承载衬底，并薄化该半导体晶圆的背面。蚀刻该半导体晶圆的背面形成第一沟槽。顺应性地沉积绝缘层于该半导体晶圆的背面。蚀刻该第一沟槽底部的绝缘层以形成第二沟槽。依序移除层该沟槽底部的该绝缘层与层间介电层，并露出接触垫的部分表面。顺应性地沉积导电层于该半导体晶圆的背面。并将其图案化后，与该接触垫形成S形连线，以及形成外部导线及焊接凸块。根据本发明所形成的导电层与接触垫有较大的接触面积，改善T形连线的导电性与粘结性，提升工艺合格率。

主权项

一种电子元件的晶圆级封装的制造方法，包括：提供半导体晶圆，其上包括多个电子元件芯片；粘结所述半导体晶圆与承载衬底，并薄化所述半导体晶圆的背面；蚀刻所述半导体晶圆的背面以形成第一沟槽；顺应性地沉积绝缘层于所述半导体晶圆的背面；蚀刻所述第一沟槽底部的绝缘层以形成第二沟槽；依序移除所述第一沟槽底部的所述绝缘层与层间介电层，并露出接触垫的部分表面，所述部分表面包括垂直部分和水平部分，其中所述第二沟槽在所述接触垫的部分表面露出之后，延伸超出所述接触垫的上表面，所述接触垫的下表面位于所述上表面与所述半导体晶圆之间；在形成所述第二沟槽延伸超出所述接触垫的上表面之后，顺应性地沉积导电层于所述半导体晶圆的背面，并将其图案化后，与所述接触垫形成S形连线；形成外部导线及焊接凸块，以连接所述S形连线；以及于所述半导体晶圆与所述承载衬底之间形成一间隔件结构，其中所述第二沟槽延伸进入所述间隔件结构，且所述第二沟槽的底表面位于所述间隔件结构的上表面与所述接触垫的所述上表面之间。