发明名称 |
一种电阻抗断层成像系统及其电极屏蔽方法 |
摘要 |
本发明公开了一种电阻抗断层成像系统及其电极的屏蔽方法,主要解决了现有技术中存在的当工作频率很高时容抗过小、电极线长度增加电容值会增加等会影响电极通道上的信号幅度的问题。其中,电阻抗断层成像系统,包括主控设备,分别与该主控设备连接的图像处理与显示装置、信号调理与AD转换电路、开关系统、屏蔽驱动电路和激励源产生电路,以及分别与该开关系统和屏蔽驱动电路连接的屏蔽电极,且该开关系统还分别与信号调理与AD转换电路、屏蔽驱动电路和激励源产生电路连接。根据该电阻抗断层成像系统,本发明还提供了相应的电极屏蔽方法,达到了高效、低成本电极屏蔽的目的。 |
申请公布号 |
CN102688039A |
申请公布日期 |
2012.09.26 |
申请号 |
CN201210188130.3 |
申请日期 |
2012.06.08 |
申请人 |
思澜科技(成都)有限公司 |
发明人 |
余华章;徐现红;戴涛;费智胜;吴梓敬 |
分类号 |
A61B5/053(2006.01)I;H05K9/00(2006.01)I |
主分类号 |
A61B5/053(2006.01)I |
代理机构 |
成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 |
代理人 |
成实 |
主权项 |
一种电阻抗断层成像系统,其特征在于,包括主控设备、分别与该主控设备连接的图像处理与显示装置、信号调理与AD转换电路、开关系统、屏蔽驱动电路和激励源产生电路,以及分别与该开关系统和屏蔽驱动电路连接的屏蔽电极,且该开关系统还分别与信号调理与AD转换电路、屏蔽驱动电路和激励源产生电路连接。 |
地址 |
610000 四川省成都市高新区高朋大道5号B座504 |