发明名称 |
薄膜晶体管及其制造方法 |
摘要 |
一种薄膜晶体管及其制造方法,薄膜晶体管包括在基板上形成栅极,在栅极上形成绝缘层,然后在绝缘层上形成通道层。再来,在通道层上形成第一材料层,其中第一材料层包括含氧的绝缘材料。然后,在第一材料层上形成第二材料层,其中第二材料层包括金属材料。之后,在第二材料层以及第一材料层中形成多个接触窗开口,以暴露出通道层。然后,在第二材料层上形成源极以及漏极,其中源极以及漏极通过接触窗开口而与通道层接触。 |
申请公布号 |
CN102693918A |
申请公布日期 |
2012.09.26 |
申请号 |
CN201210162113.2 |
申请日期 |
2012.05.21 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
曾伟豪;周奇纬;丁宏哲 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
梁挥;王颖 |
主权项 |
一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,包括:在一基板上形成一栅极;在该栅极上形成一绝缘层;在该绝缘层上形成一通道层;在该通道层上形成一第一材料层,该第一材料层包括一含氧的绝缘材料;在该第一材料层上形成一第二材料层,该第二材料层包括一金属材料;在该第二材料层以及该第一材料层中形成多个接触窗开口,以暴露出该通道层;以及在该第二材料层上形成一源极以及一漏极,该源极以及该漏极通过这些接触窗开口而与该通道层接触。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号 |