一种硅薄膜表面减反射结构的制备方法

摘要

一种硅薄膜表面减反射结构的制备方法为；1、硅薄膜制备：首先将纯度99.9999%的硅靶、纯度99.999%的银靶和廉价硅片基体依次装入真空室中，然后将真空室抽真空，之后向真空室通入氩气，最后在所述基体上沉积厚度为0.3~5微米的多晶硅薄膜；2、银纳米粒子沉积：在步骤1中最终所获的多晶硅薄膜上继续沉积银纳米粒子，所沉积的银纳米粒子厚度为2~20纳米；3、贵金属银纳米粒子催化刻蚀；4、银纳米粒子去除：将步骤3中最终所获发黑硅薄膜用质量分数为20~40%硝酸溶液室温下浸泡10~30分钟，以去除残留在所述发黑硅薄膜上的银纳米粒子，再先后用蒸馏水和乙醇冲洗干净，冷风吹干。本发明具有多孔结构，具有成本低、减反射效果好和稳定性高的特性。

主权项

1.一种硅薄膜表面减反射结构的制备方法，其特征是：（1）、硅薄膜制备：镀膜设备选用多靶直流磁控溅射镀膜系统；首先将纯度99.9999%的硅靶、纯度99.999%的银靶和廉价硅片基体依次装入真空室中，然后将真空室抽真空至6.0×10^-4帕，之后向真空室通入纯度为99.999%的氩气，最后在所述基体上沉积厚度为0.3~5微米的多晶硅薄膜；所述多晶硅薄膜沉积工艺：硅靶功率为20~150瓦，基体偏压为50~200伏，硅靶与基体的距离为4~12厘米，工作气压为0.1~1.0帕，基体温度为500~700摄氏度，基体自转速度为每分钟5~30转；（2）、银纳米粒子沉积：在步骤1中最终所获的多晶硅薄膜上继续沉积银纳米粒子，所沉积的银纳米粒子厚度为2~20纳米；所述沉积银纳米粒子工艺参数为：银靶功率20~80瓦，基体偏压0~200伏，靶材与基体的距离4~12厘米，工作气压0.1~1.0帕，基体温度为500~700摄氏度，基体自转速度为每分钟5~30转；镀膜结束后样品随真空室冷却至室温；（3）、贵金属银纳米粒子催化刻蚀：将步骤2中最终所获的镀有银纳米粒子的多晶硅薄膜浸入刻蚀溶液中，于15~30摄氏度下刻蚀0.5~5分钟后取出，用蒸馏水冲洗干净，即获得发黑的硅薄膜；所述刻蚀溶液用质量分数为40%氢氟酸、30%过氧化氢和蒸馏水按照（1~8）：（1~8）：10体积比配制；（4）、银纳米粒子去除：将步骤3中最终所获发黑硅薄膜用质量分数为20~40%硝酸溶液室温下浸泡10~30分钟，以去除残留在所述发黑硅薄膜上的银纳米粒子，再先后用蒸馏水和乙醇冲洗干净，冷风吹干，即在硅薄膜表面获得了减反射结构。