发明名称 一种硅单晶生长的热场
摘要 本发明公开了一种硅单晶生长的热场,包括侧壁下部有通孔、顶部有进气口的工作室,工作室底部固接有保温底板,保温底板的上表面由内向外依次固接有内保温筒和侧壁下部设置有通孔的外保温筒,内保温筒与外保温筒之间有间隙,外保温筒侧壁下部的通孔内设置有一端与间隙相通、另一端从工作室侧壁伸出并与抽气装置相通的抽气口,内保温筒内设置有与工作室底部设置的电极固接的加热器,加热器内设置有与坩埚杆固接的坩埚,外保温筒顶面设置有开有通孔的保温板,保温板与内保温筒顶面之间有与间隙和抽气口相通的空隙,保温板上固接有下端伸入坩埚内的导流筒。本发明热场提高了各部件的使用寿命,并对高温气体进行二次利用,实现了节能降耗。
申请公布号 CN101525765B 申请公布日期 2012.09.26
申请号 CN200910022095.6 申请日期 2009.04.17
申请人 江苏华盛天龙光电设备股份有限公司 发明人 李留臣;冯金生;井锦英
分类号 C30B15/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C30B15/14(2006.01)I
代理机构 西安弘理专利事务所 61214 代理人 罗笛
主权项 一种硅单晶生长的热场,包括工作室(9),工作室(9)侧壁下部设置有通孔,工作室(9)的顶部设置有进气口,该进气口与外部的气体输送装置相通,工作室(9)内的底部设置有保温底板(1),工作室(9)内、保温底板(1)的上表面固接有圆筒形的外保温筒(4),外保温筒(4)侧壁的下部设置有通孔,外保温筒(4)内、保温底板(1)的上表面还设置有圆筒形的内保温筒(3),内保温筒(3)的侧壁与外保温筒(4)的侧壁之间留有间隙(5),外保温筒(4)侧壁下部的通孔内设置有抽气口(2),抽气口(2)的一端与间隙(5)相通,抽气口(2)的另一端从工作室(9)侧壁下部的通孔中伸出并与外部的抽气装置相通,工作室(9)的底部竖直设置有电极(12),电极(12)的上端穿过保温底板(1)伸入内保温筒(3)内并与圆筒形的加热器(11)固定连接,电极(12)的下端伸出工作室(9)的底部并与电源相连接,工作室(9)的底部还竖直设置有坩埚杆(15),坩埚杆(15)的下端伸出工作室(9)的底部,坩埚杆(15)的上端伸入加热器(11)内并与坩埚(10)固接,坩埚(10)位于加热器(11)内,外保温筒(4)的顶面设置有保温板(8),保温板(8)上开有通孔,其特征在于,保温板(8)与内保温筒(3)顶面之间设置有空隙(7),空隙(7)、间隙(5)和抽气口(2)相通,保温板(8)上固接有中空的倒圆台形的导流筒(6),导流筒(6)的下端通过保温板(8)上的通孔伸入坩埚(10)内。
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