发明名称 |
多晶硅棒的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种多晶硅棒的制造方法,其中,在制造硅棒时,使用从通过CZ法或FZ法培育而成的单晶硅锭切出的硅部件(单晶硅棒)作为芯线。具体而言,从切去单晶硅锭(10)的肩部(10s)和尾部(10t)而得到的主体部(10b)切出平板状硅(11),进而,切割成长条形而得到硅棒(芯线)(12)。在结晶生长轴方位为<100>的情况下,晶体性线(h1~h4)为四根,硅棒(芯线)(12)按照其面与晶体性线形成特定范围的偏角θ的方式切出。根据本发明,能够提供以现有方法无法得到的低杂质污染(高纯度)的多晶硅棒及单晶化效率高的FZ用多晶硅棒。 |
申请公布号 |
CN101565185B |
申请公布日期 |
2012.09.26 |
申请号 |
CN200910132968.9 |
申请日期 |
2009.04.03 |
申请人 |
信越化学工业株式会社 |
发明人 |
水野亨彦;黑谷伸一;祢津茂义;小黑晓二 |
分类号 |
C01B33/035(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/035(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
樊卫民;郭国清 |
主权项 |
一种多晶硅棒的制造方法,通过CVD法使硅析出到硅芯线上来制造多晶硅棒,其特征在于,使用从单晶硅锭切出的硅部件作为所述硅芯线,并且所述硅芯线按照该芯线的侧面相对于所述单晶硅锭的晶体习性线形成5度至40度范围的角度的方式切出,所述单晶硅锭为通过简称为CZ法的切克劳斯基法或简称为FZ法的悬浮区熔法培育而成的单晶硅锭,该单晶硅锭的结晶生长轴方位以密勒指数记为<100>或<111>。 |
地址 |
日本东京都 |