| 发明名称 | 导电体及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供导电性良好且耐热性优良的导电体及其制造方法。一种导电体，其特征在于，在基板(10)上设有2层以上由添加有选自Nb、Ta、Mo、As、Sb、W、N、F、S、Se、Te、Cr、Ni、Tc、Re、P和Bi的1种或2种以上的掺杂剂的氧化钛形成的层(Z)，该2层以上的层(Z)中的至少1层是掺杂剂的原子数相对于钛和掺杂剂的原子数总和的比例为0.01～4原子％的第二层(Z2)(12)，在该第二层(Z2)(12)与基板(10)之间设有所述掺杂剂的原子数相对于钛和掺杂剂的原子数总和的比例大于该第二层(Z2)的第一层(Z1)(11)。 | ||
| 申请公布号 | CN101978431B | 申请公布日期 | 2012.09.26 |
| 申请号 | CN200980110682.9 | 申请日期 | 2009.03.05 |
| 申请人 | 旭硝子株式会社 | 发明人 | 中尾祥一郎;山田直臣;一杉太郎;长谷川哲也 |
| 分类号 | H01B5/14(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01B5/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 刘多益;胡烨 |
| 主权项 | 一种导电体，其特征在于，在基板上设有2层以上由添加有选自Nb、Ta、Mo、As、Sb、W、N、F、S、Se、Te、Cr、Ni、Tc、Re、P和Bi的1种或2种以上的掺杂剂的氧化钛形成的层(Z)，该2层以上的层(Z)中的至少1层是掺杂剂的原子数相对于钛和掺杂剂的原子数总和的比例为0.01～4原子％的第二层(Z2)，在该第二层(Z2)与基板之间设有所述掺杂剂的原子数相对于钛和掺杂剂的原子数总和的比例大于该第二层(Z2)的第一层(Z1)。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||