发明名称 |
反射膜用Al-Ni-B合金材料 |
摘要 |
本发明系关于反射型的显示装置,提供一种具备有优异的反射特性之同时,能进行与ITO(铟锡氧化物)或IZO(铟锌氧化物)等的透明电极层直接接合之反射膜用Al系合金材料。;详言之,本发明系铝中含有镍及硼之反射膜用Al-Ni-B合金材料,其特征为:镍含量为1.5 at%(原子百分数)至未满4 at%、硼含量为0.1 at%至0.5 at%,而余量为铝。再者,如镍含量为1.5 at%至3 at%,硼含量为0.1 at%至0.4 at%,则更佳。 |
申请公布号 |
TWI372787 |
申请公布日期 |
2012.09.21 |
申请号 |
TW096132837 |
申请日期 |
2007.09.04 |
申请人 |
三井金属鑛业股份有限公司 |
发明人 |
松浦宜范;附田龙马;占部宏成;久保田高史 |
分类号 |
C22C21/00 |
主分类号 |
C22C21/00 |
代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼 |
主权项 |
一种反射膜用Al-Ni-B合金材料,系铝中含有镍及硼之反射膜用Al-Ni-B合金材料,其特征为:含有1.5 at%至未满4 at%的镍、及0.1 at%至0.5 at%的硼,而余量为铝。如申请专利范围第1项之反射膜用Al-Ni-B合金材料,其中镍量在1.5 at%至3 at%、硼含量在0.1 at%至0.4 at%。一种反射型显示装置之元件构造,系具备有由申请专利范围第1项或第2项之反射膜用Al-Ni-B合金材料所形成之反射膜层、及透明电极层之反射型显示装置的元件构造,其特征为:前述反射膜层具有经直接接合于半导体层之部分。一种溅射靶,系为了形成由反射膜用Al-Ni-B合金材料所成之反射膜的溅射靶,其特征为:含有1.5 at%至未满4 at%的镍、及0.1 at%至0.5 at%的硼,余量为铝。 |
地址 |
日本 |