发明名称 平坦化制程与内连线的制作方法
摘要 一种内连线的制作方法,首先,提供具有导电区的基底。接着,于基底上形成介电层。然后,于介电层中形成暴露出部分的导电区的开口。而后,于介电层上共形地形成阻障层。继之,于介电层上形成第一金属层。随后,以阻障层为研磨终止层,进行第一化学机械研磨制程,以移除部分的第一金属层。接着,进行第二化学机械研磨制程,以移除介电层表面上的阻障层。然后,进行蚀刻制程,以移除部分的第一金属层,使第一金属层的表面与介电层的表面实质上高度相同。而后,于介电层上形成第二金属层。之后,将第二金属层图案化。
申请公布号 TWI373096 申请公布日期 2012.09.21
申请号 TW096116119 申请日期 2007.05.07
申请人 南亚科技股份有限公司 发明人 廖建茂;施信益;李柏逸;吴昌荣;刘仕文
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种平坦化制程,包括:提供一基底,该基底中已形成有一开口;于该基底上共形地形成一阻障层;于该基底上形成一金属层,且该金属层填满该开口;以该阻障层为研磨终止层,进行一第一化学机械研磨制程,移除部分该金属层;进行一第二化学机械研磨制程,以移除该基底表面上的该阻障层;以及进行一蚀刻制程,以移除部分该金属层,使该金属层的表面与该基底的表面实质上高度相同。如申请专利范围第1项所述之平坦化制程,其中该蚀刻制程为乾式蚀刻制程。如申请专利范围第2项所述之平坦化制程,其中该乾式蚀刻制程所使用的蚀刻气体包括氯气。如申请专利范围第1项所述之平坦化制程,其中该阻障层的材料包括氮化钛或钛/氮化钛。如申请专利范围第1项所述之平坦化制程,其中该金属层的材料包括钨、铜或铝。一种内连线的制作方法,包括:提供一基底,该基底中具有一导电区;于该基底上形成一介电层;于该介电层中形成一开口,该开口暴露出部分该导电区;于该介电层上共形地形成一阻障层;于该介电层上形成一第一金属层,且该第一金属层填满该开口;以该阻障层为研磨终止层,进行一第一化学机械研磨制程,以移除部分该第一金属层;进行一第二化学机械研磨制程,以移除该介电层表面上的该阻障层;进行一蚀刻制程,以移除部分该第一金属层,使该第一金属层的表面与该介电层的表面实质上高度相同;于该介电层上形成一第二金属层;以及图案化该第二金属层。如申请专利范围第6项所述之内连线的制作方法,其中该蚀刻制程为一乾式蚀刻制程。如申请专利范围第7项所述之内连线的制作方法,其中该乾式蚀刻制程所使用的蚀刻气体包括氯气。如申请专利范围第6项所述之内连线的制作方法,其中该阻障层的材料包括氮化钛或钛/氮化钛。如申请专利范围第6项所述之内连线的制作方法,其中该第一金属层的材料包括钨、铜或铝。如申请专利范围第6项所述之内连线的制作方法,其中该第二金属层的材料包括钨、铜或铝。如申请专利范围第6项所述之内连线的制作方法,其中该基底包括矽基底。如申请专利范围第6项所述之内连线的制作方法,其中该导电区包括电极或导线。
地址 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号