| 主权项 |
一种取暖墙，其包括一墙体，该墙体具有一表面，其改进在于，该取暖墙还包括一热致发声元件、至少一第一电极及至少一第二电极，该第一电极、第二电极及热致发声元件设置于该墙体之一表面，该第一电极及第二电极相互间隔且分别与该热致发声元件电连接，该墙体之表面与热致发声元件之间进一步包括一反射元件，该反射元件与该热致发声元件间隔设置。如申请专利范围第1项所述之取暖墙，其中，该墙体之表面包括平面、曲面或折面。如申请专利范围第1项所述之取暖墙，其中，该墙体之表面具有复数微结构，该热致发声元件直接设置于该墙体具有复数微结构之表面。如申请专利范围第1项所述之取暖墙，其中，该热致发声元件通过该第一电极及第二电极与墙体之表面间隔设置。如申请专利范围第1项所述之取暖墙，其中，该反射元件对红外辐射之反射率大于百分之三十。如申请专利范围第1项所述之取暖墙，其中，该反射元件与热致发声元件之间进一步包括一绝缘层，该绝缘层面向热致发声元件之表面包括复数微结构，该热致发声元件直接设置于绝缘层具有复数微结构之表面。如申请专利范围第3项或第6项所述之取暖墙，其中，该微结构为凹面、盲孔或通孔。如申请专利范围第1项所述之取暖墙，其中，该取暖墙进一步包括一功率放大器，该功率放大器用于将接收之音频电讯号功率放大为放大电压讯号，并驱动该热致发声元件发声。如申请专利范围第8项所述之取暖墙，其中，该墙体具有一容置空间用于容置该功率放大器。如申请专利范围第1项所述之取暖墙，其中，该取暖墙进一步包括一保护结构，该保护结构设置于该热致发声元件与该墙体相背之一侧且与该热致发声元件间隔设置。如申请专利范围第10项所述之取暖墙，其中，该保护结构为网状结构。如申请专利范围第1项所述之取暖墙，其中，该热致发声元件之单位面积热容小于2×10-4焦耳每平方厘米开尔文。如申请专利范围第1项所述之取暖墙，其中，该热致发声元件至少部分悬空设置。如申请专利范围第1项所述之取暖墙，其中，该热致发声元件为一奈米碳管结构。如申请专利范围第14项所述之取暖墙，其中，该奈米碳管结构包括至少一奈米碳管膜、至少一奈米碳管线状结构或其组合。如申请专利范围第15项所述之取暖墙，其中，该奈米碳管膜或奈米碳管线状结构包含复数大致平行之奈米碳管。如申请专利范围第16项所述之取暖墙，其中，相邻之奈米碳管由凡德瓦尔力结合。如申请专利范围第15项所述之取暖墙，其中，该奈米碳管膜包括多个奈米碳管通过凡德瓦尔力首尾相连。如申请专利范围第18项所述之取暖墙，其中，该复数奈米碳管沿同一方向择优取向排列。如申请专利范围第16项所述之取暖墙，其中，该热致发声元件之厚度为0.5奈米~100微米。一种取暖墙，其包括一墙体，该墙体具有一表面，其中，该取暖墙还包括一热致发声元件、至少一第一电极及至少一第二电极，该第一电极、第二电极及热致发声元件设置于该墙体之表面，该第一电极及第二电极分别设置于该热致发声元件相对之两端且分别与该热致发声元件电连接，该热致发声元件为一奈米碳管结构，该奈米碳管结构包括复数奈米碳管大致平行排列，该奈米碳管结构中奈米碳管之轴向基本沿第一电极至第二电极方向延伸，该墙体之表面与热致发声元件之间进一步包括一反射元件，该反射元件与该热致发声元件间隔设置。如申请专利范围第21项所述之取暖墙，其中，该取暖墙包括复数第一电极及复数第二电极，该复数第一电极与复数第二电极交替地间隔设置，复数第一电极串联，复数第二电极串联。 |
