| 主权项 |
一种封装之方法，其包含：提供n个回焊类型晶粒，其中一回焊类型晶粒系藉由以下步骤形成：提供一具有一第一主表面及一第二主表面的晶粒；在该晶粒之该第一主表面上形成复数个孔；在该第一主表面上形成一遮罩层，该遮罩包含曝露在该第一主表面上之该等孔的复数个遮罩开口；用一导电材料填充该等遮罩开口；及回焊以至少部分地填充该等孔及遮罩开口以在该等孔中形成复数个孔接点及在该等遮罩开口中形成复数个表面接点，经部分地填充之该等遮罩开口包括空间于其中；堆叠该n个回焊类型晶粒以形成一晶粒堆叠，其中n=1系该晶粒堆叠之一底部晶粒，及n=n系该晶粒堆叠之一顶部晶粒，其中第n个晶粒之孔对准相邻之一或多个晶粒之孔；及回焊该晶粒堆叠以熔化该等回焊类型晶粒之该等表面接点及孔接点，以填充该等遮罩开口中之空间及同时地在该晶粒堆叠之该等回焊类型晶粒之间形成连接。如请求项1之方法，其中该导电材料包含焊锡。如请求项1之方法，其中填充该等遮罩开口包含使用一模板以焊锡膏印刷。如请求项3之方法，其包含在填充该等遮罩开口之后移除该模板。如请求项1之方法，其包含在该遮罩层上形成一晶粒附接膜以用于将另一晶粒附接于该晶粒之第一表面上。如请求项1之方法，其中该等晶粒包含一具有复数个晶粒之晶圆。如请求项1之方法，其中：该等孔包含盲孔；及该方法包含背面研磨该晶粒之该第二主表面以曝露该等孔接点之底部。如请求项1之方法，其中形成该晶粒堆叠包含将一第n个晶粒堆叠于一第n-1个晶粒之顶部上，其中该第n个晶粒之孔接点被安置于该第n-1个晶粒之表面接点上。如请求项1之方法，其中：该堆叠之上部晶粒包含具有经曝露之底部孔接点的第二主表面；及该堆叠之一底部晶粒(n=1)包含一具有未曝露之孔接点的一未研磨第二主表面。如请求项9之方法，其包含背面研磨该底部晶粒(n=1)之该第二表面以曝露该等孔接点之底部。一种用于制备一用于封装之晶粒的方法，其包含：提供一具有一第一主表面及一第二主表面的晶粒，其中该第一主表面经制备而具有复数个孔；在该晶粒之该第一主表面上形成一遮罩层，该遮罩层包含曝露该等孔的复数个遮罩开口；用一导电材料填充该等遮罩开口；及回焊以部分地填充该等孔及遮罩开口以在该等孔中形成复数个孔接点及在该等遮罩开口中形成复数个表面接点以形成一回焊类型晶粒，其中经部分地填充之该等遮罩开口包括空间于其中。如请求项11之方法，其中该导电材料包含焊锡。如请求项12之方法，其中该等孔包含盲孔，及该方法进一步包含背面研磨该第二主表面以曝露该等孔接点之底部。如请求项11之方法，其中填充该等遮罩开口包含使用一模板以焊锡膏印刷。如请求项14之方法，其包含在填充该等遮罩开口之后移除该模板。如请求项11之方法，其中该等孔包含盲孔，及该方法进一步包含背面研磨该第二主表面以曝露该等孔接点之底部。如请求项11之方法，其进一步包含：提供n个回焊类型晶粒；堆叠该n个回焊类型晶粒以形成一晶粒堆叠，其中n=1系一底部晶粒，及n=n系一顶部晶粒；及回焊该晶粒堆叠之该等回焊类型晶粒之该导电材料以填充该等遮罩开口中之空间，及同时地在该晶粒堆叠之该等回焊类型晶粒之间形成连接。如请求项17之方法，其包含在该等回焊类型晶粒之该等遮罩层上安置一晶粒附接膜。如请求项18之方法，其中堆叠该晶粒包含将一第n个晶粒堆叠于一第n-1个晶粒之顶部上，其中该第n个晶粒之孔接点被安置于该第n-1个晶粒之表面接点上。如请求项18之方法，其中该晶粒堆叠之该底部晶粒(n=1)包含一具有未曝露之孔接点的一未研磨第二主表面，及该方法进一步包含背面研磨该底部晶粒之该第二主表面以在形成该晶粒堆叠后曝露该等孔接点之底部。如请求项17之方法，其中堆叠该晶粒包含将一第n个晶粒堆叠于一第n-1个晶粒之顶部上，其中该第n个晶粒之孔接点被安置于该第n-1个晶粒之表面接点上。如请求项17之方法，其中该晶粒堆叠之该底部晶粒(n=1)包含一具有未曝露之孔接点的一未研磨第二主表面，及该方法进一步包含背面研磨该底部晶粒之该第二主表面以在形成该晶粒堆叠后曝露该等孔接点之底部。一种封装之方法，其包含：提供n个回焊类型晶粒，其中一回焊类型晶粒系藉由以下步骤形成：提供一具有一第一主表面及一第二主表面的晶粒，该第一主表面经制备而具有复数个孔；在该第一主表面上形成一遮罩层，该遮罩层包含曝露在该第一主表面上之该等孔的复数个遮罩开口；用一导电材料填充该等遮罩开口；及回焊以部分地填充该等孔及遮罩开口以在该等孔中形成复数个孔接点及在该等遮罩开口中形成复数个表面接点，其中经部分地填充之该等遮罩开口包括空间于其中；及堆叠该n个回焊类型晶粒以形成一晶粒堆叠，其中n=1系该晶粒堆叠之一底部晶粒，及n=n系该晶粒堆叠之一顶部晶粒，其中第n个晶粒之孔对准相邻之一或多个晶粒之孔。如请求项23之方法，其进一步包含回焊该晶粒堆叠之该等回焊类型晶粒之该导电材料以填充该等遮罩开口中之空间，及同时地在该晶粒堆叠之该等回焊类型晶粒之间形成连接。如请求项23之方法，其包含在该等回焊类型晶粒之该等遮罩层上安置一晶粒附接膜。如请求项23之方法，其中该晶粒堆叠之该底部晶粒(n=1)包含一具有未曝露之孔接点的一未研磨第二主表面，及该方法进一步包含背面研磨该底部晶粒之该第二主表面以在形成该晶粒堆叠后曝露该等孔接点之底部。 |
