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一种薄膜电晶体，包括：一源极；一汲极，该汲极与该源极间隔设置；一半导体层；以及一闸极，该闸极通过一绝缘层与该半导体层、源极及汲极绝缘设置，其改良在于，该半导体层包括多个奈米碳管长线，且至少部分所述奈米碳管长线的两端分别与所述源极和汲极电连接，所述奈米碳管长线包括多个通过凡德瓦尔力首尾相连的奈米碳管束，每一奈米碳管束包括多个定向排列的奈米碳管。如申请专利范围第1项所述的薄膜电晶体，其中，所述奈米碳管长线的直径为0.5奈米~100微米。如申请专利范围第1项所述的薄膜电晶体，其中，所述奈米碳管长线包括由多个首尾相连的奈米碳管束组成的束状结构或绞线结构。如申请专利范围第3项所述的薄膜电晶体，其中，所述相邻的奈米碳管束之间通过凡德瓦尔力紧密结合。如申请专利范围第4项所述的薄膜电晶体，其中，所述奈米碳管为半导体性奈米碳管。如申请专利范围第4项所述的薄膜电晶体，其中，所述奈米碳管包括单壁奈米碳管或双壁奈米碳管，且所述奈米碳管的直径小于10奈米。如申请专利范围第1项所述的薄膜电晶体，其中，所述多个奈米碳管长线相互平行，且沿所述源极至汲极的方向排列。如申请专利范围第1项所述的薄膜电晶体，其中，所述绝缘层设置于所述闸极和半导体层之间。如申请专利范围第1项所述的薄膜电晶体，其中，所述绝缘层的材料为氮化矽、氧化矽、苯并环丁烯、聚酯或丙烯酸树脂。如申请专利范围第1项所述的薄膜电晶体，其中，所述源极及汲极设置于所述半导体层表面。如申请专利范围第1项所述的薄膜电晶体，其中，所述闸极、源极及汲极的材料为金属、合金、铟锡氧化物、锑锡氧化物、导电银胶、导电聚合物或金属性奈米碳管。如申请专利范围第11项所述的薄膜电晶体，其中，所述闸极、源极及汲极的材料为钯、铯、铝、铜、钨、钼、金、钛、钕或其合金。如申请专利范围第1项所述的薄膜电晶体，其中，所述薄膜电晶体设置于一绝缘基板上，所述半导体层设置于该绝缘基板表面，所述源极及汲极间隔设置于所述半导体层表面，所述绝缘层设置于所述半导体层表面，所述闸极设置于所述绝缘层表面，并通过该绝缘层与该半导体层、源极和汲极电绝缘。如申请专利范围第1项所述的薄膜电晶体，其中，所述薄膜电晶体设置于一绝缘基板上，所述闸极设置于该绝缘基板表面，所述绝缘层设置于所述闸极表面，所述半导体层设置于所述绝缘层表面，并通过所述绝缘层与闸极绝缘设置，所述源极及汲极间隔设置于所述半导体层表面并通过所述绝缘层与上述闸极电绝缘。如申请专利范围第13或14项所述的薄膜电晶体，其中，所述绝缘基板的材料为玻璃、石英、陶瓷、金刚石、塑料或树脂。如申请专利范围第1项所述的薄膜电晶体，其中，所述薄膜电晶体的载子移动率为10~1500cm2/V-1s-1，开关电流比为1.0×102~1.0×106。如申请专利范围第1项所述的薄膜电晶体，其中，所述薄膜电晶体进一步包括一通道，该通道为所述半导体层位于所述源极和汲极之间的区域，该通道及半导体层的长度为1微米~100微米，宽度为1微米~1毫米，厚度为0.5奈米~100微米。 |
