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Ein indirekt induzierter Tunnelemitter für eine Tunnelfeldeffekttransistor(TFET)-Struktur umfasst einen äußeren Mantel, der zumindest teilweise ein längliches Kernelement umgibt, wobei das längliche Kernelement aus einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist; eine Isolatorschicht, die zwischen dem äußeren Mantel und dem Kernelement angeordnet ist; wobei der äußere Mantel an einer Stelle angeordnet ist, die einer Source-Zone der TFET-Struktur entspricht; und einen Source-Kontakt, der den äußeren Mantel mit dem Kernelement kurzschließt; wobei der äußere Mantel so aufgebaut ist, dass er in die Source-Zone des Kernelements eine Ladungsträgerkonzentration einführt, die zum Tunneln in eine Kanalzone der TFET-Struktur während eines EIN-Zustands ausreicht.
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