Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterchips

摘要

Es wird ein zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben:–Bereitstellen zumindest einer optoelektronischen Struktur (2) umfassend einen Aufwachsträger (1) und eine Halbleiterschichtenfolge (20) mit einem aktiven Bereich (23), die auf dem Aufwachsträger (1) epitaktisch abgeschieden ist,–Bereitstellen eines Trägers (4),–Aufbringen der zumindest einen optoelektronischen Struktur (2) auf den Träger (4) mit ihrer dem Aufwachsträger (1) abgewandten Seite,–Beschichten der zumindest einen optoelektronischen Struktur (2) mit einem Schutzmaterial (5), wobei das Schutzmaterial (5) die dem Träger (4) abgewandte Außenfläche des Aufwachsträgers (1) sowie Seitenflächen des Aufwachsträgers (1) und der Halbleiterschichtenfolge (20) bedeckt,–Ablösen des Aufwachsträger (1) von der Halbleiterschichtenfolge (20) der zumindest einen optoelektronischen Struktur (2).