无压浸渗法制备SiC/Al电子封装材料的工艺

摘要

本发明涉及一种无压浸渗法制备SiC/Al电子封装材料的工艺，按质量配比在6～9：0.5～2：0.5～2范围内称取粒径分别为140-170μm、15-70μm、14-17μm的碳化硅颗粒，加入粘结剂、增塑剂、润滑剂和溶剂混匀，压制成型后预热处理并烧结，然后在Al-Mg-Si合金熔体中浸渗。采用三种粒径制备的三颗粒SiC/Al复合材料的热物理性能和力学性能整体上比双颗粒SiC/Al复合材料好，热膨胀系数在(7.92-9.71)×10-6K-1之间变化、热导率在(140-159)W/mK之间变化和抗弯强度300-337MPa之间变化。

主权项

无压浸渗法制备SiC/Al电子封装材料的工艺，其特征是，包括步骤如下：（1）按质量配比在6～9：0.5～3：0.5～2范围内称取粒径分别为124‑178μm、15‑74μm、11‑19μm的碳化硅颗粒；（2）将碳化硅颗粒混合放入球磨机球磨混合均匀，然后加入粘结剂、增塑剂、润滑剂和溶剂混匀，粘结剂、增塑剂、润滑剂和溶剂加入量为碳化硅总重量的0.5%‑3%；（3）将混合物导入模具中压制成型；（4）将成型混合物加热到500‑550℃保温1‑1.2小时，再升温至1050‑1250℃保温0.5‑4小时得SiC预制件；（5）将Al‑Mg‑Si合金熔化成熔体，将预制件浸入其中，在1050‑1150℃浸渗0.5‑4小时，冷却。