| 发明名称 | 抑制热载流子注入的方法及BiCMOS器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种抑制热载流子注入的方法、BiCMOS器件制造方法以及BiCMOS器件。根据本发明的抑制BiCMOS器件的热载流子注入的方法包括：在形成p型的输入输出MOS晶体管的源极和漏极的离子注入步骤中分别执行铟离子注入步骤和硼离子注入步骤；其中，铟离子注入步骤用于对硅片进行铟离子注入；硼离子注入步骤用于在铟离子注入步骤之后对硅片的执行了铟离子注入的同一区域进行硼离子注入。根据本发明，在形成p型的输入输出MOS晶体管或高压MOS晶体管的源漏结构的离子注入步骤中，在硼离子注入之前先进行铟离子注入，从而抑制硼离子的扩散并提高硼离子的活性，由此抑制p型的输入输出MOS晶体管的热载流子注入问题，进而改进BiCMOS器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102683186A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201210143431.4 | 申请日期 | 2012.05.09 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 林益梅 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/8249(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种抑制BiCMOS器件的热载流子注入的方法，其特征在于包括：在形成p型的输入输出MOS晶体管的源极和漏极的离子注入步骤中分别执行铟离子注入步骤和硼离子注入步骤；其中，铟离子注入步骤用于对硅片进行铟离子注入；硼离子注入步骤用于在铟离子注入步骤之后对硅片的执行了铟离子注入的同一区域进行硼离子注入。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||