发明名称 一种低温固相反应制备Cu<sub>2</sub>Se热电材料的方法
摘要 本发明涉及一种Cu2Se热电材料的制备方法。一种低温固相反应制备Cu2Se热电材料的方法,其特征在于它包括如下步骤:1)以Cu粉、Se粉为原料,按Cu粉和Se粉摩尔比为2:1,称取Cu粉和Se粉混合均匀,得到混合粉体;2)将混合粉体在压片机上压成块体,将块体置于石墨坩埚内,抽真空并密封于石英玻璃管中,再置于马弗炉中650~750℃固相反应12~24h,将所得产物研磨成粉末;3)将步骤2)所得粉末进行放电等离子体烧结,得到致密块体,即为Cu2Se热电材料。本发明原料成本低廉,反应温度低,节省能源,并且按照Cu2Se的化学计量比投料,能较精确地控制产物组成,重复性好。
申请公布号 CN102674270A 申请公布日期 2012.09.19
申请号 CN201210165497.3 申请日期 2012.05.25
申请人 武汉理工大学 发明人 唐新峰;吴优;谢文杰
分类号 C01B19/04(2006.01)I 主分类号 C01B19/04(2006.01)I
代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人 唐万荣
主权项 一种低温固相反应制备Cu2Se热电材料的方法,其特征在于,它包括如下步骤:1)以Cu粉、Se粉为原料,按Cu粉和Se粉摩尔比为2:1,称取Cu粉和Se粉,将两者混合均匀,得到混合粉体;2)将混合粉体在压片机上压成块体,将块体置于石墨坩埚内,抽真空并密封于石英玻璃管中,再置于马弗炉中650~750℃固相反应12~24h,将所得产物研磨成粉末;3)将步骤2)所得粉末进行放电等离子体烧结,得到致密块体,即为Cu2Se热电材料。
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