| 发明名称 | 光刻套刻方法和提高LDMOS器件击穿稳定性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种光刻套刻方法、光刻方法和提高LDMOS器件击穿稳定性的方法。根据本发明的光刻套刻方法包括：形成第一层图案并留下对准标记；形成第二层图案，并根据所述对准标记确定第二层图案相对于第一层图案的套刻精度；形成第三层图案的光刻掩膜；根据所述对准标记确定第三层图案相对于第一层图案的套刻精度；利用第二层图案相对于第一层图案的套刻精度减去第三层图案相对于第一层图案的套刻精度得到的结果来调整第三层图案的光刻掩膜的图案参数，以使得第二层图案和第三层图案对准。 | ||
| 申请公布号 | CN102681370A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201210143437.1 | 申请日期 | 2012.05.09 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘正超;孙贤波 |
| 分类号 | G03F9/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | G03F9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种光刻套刻方法，其特征在于包括：形成第一层图案并留下对准标记；形成第二层图案，并根据所述对准标记确定第二层图案相对于第一层图案的套刻精度；形成第三层图案的光刻掩膜；根据所述对准标记确定第三层图案相对于第一层图案的套刻精度；利用第二层图案相对于第一层图案的套刻精度减去第三层图案相对于第一层图案的套刻精度得到的结果来调整第三层图案的光刻掩膜的图案参数，以使得第二层图案和第三层图案对准。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||