半导体器件及其制造方法

摘要

半导体器件具备连接第1MOS晶体管的漏极或源极任一个与第2MOS晶体管的漏极或源极任一个的电路，半导体器件具备：衬底；衬底上的绝缘膜；及平面状半导体层，形成于衬底上的绝缘膜上；第1MOS晶体管含有：第1漏极/源极区域，形成于平面状半导体层；柱状半导体层，形成于平面状半导体层上；第2源极/漏极区域，形成于柱状半导体上部；及栅极，形成于柱状半导体层侧壁；第2MOS晶体管含有：第3漏极/源极区域，形成于平面状半导体层；柱状半导体层，形成于平面状半导体层上；第4源极/漏极区域，形成于柱状半导体上部；及栅极，形成于柱状半导体层侧壁；形成有硅化物层，连接第1漏极/源极区域上部至少一部分与第3漏极/源极区域上部至少一部分。

主权项

一种半导体器件，具有MOS晶体管，其包含有：柱状半导体层；第1漏极或源极区域，形成于所述柱状半导体层的底部；栅极电极，以包围该柱状半导体层的侧壁的方式隔介第1绝缘膜而形成；外延半导体层，形成于所述柱状半导体层上表面上部；以及第2源极或漏极区域，至少形成于所述外延半导体层；所述第2源极或漏极区域的上表面面积大于所述柱状半导体层的上表面面积。